三星(SSNLF.US)再度回应英伟达(NVDA.US)HBM3E芯片报道：测试正在“按计划”进行

（原标题：三星(SSNLF.US)再度回应英伟达(NVDA.US)HBM3E芯片报道：测试正在“按计划”进行）

获悉，三星(SSNLF.US)对有关英伟达(NVDA.US)测试其高带宽存储芯片(HBM)的媒体报道再度做出了回应，表示测试正在“按计划”进行。

三星的一名发言人通过电子邮件表示：“三星电子正在通过与各客户的密切合作优化我们的产品，并按计划进行测试。”

上周有报道称，英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。但随后三星回应称，这和事实相距甚远，“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的”。

HBM是一种动态随机存取存储器(DRAM)标准，通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低能耗，是人工智能GPU的关键组件，有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。 HBM3是目前新一代人工智能GPU中最常用的第四代HBM技术标准，HBM3E芯片则使用第五代HBM标准。全球HBM芯片市场由SK海力士、三星主导，其次是美国芯片制造商美光科技(MU.US)。

上个月，英伟达首席执行官黄仁勋表示，该公司正在评估美光和三星的HBM芯片，以确定它们是否能与SK海力士竞争。

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