传三星8层HBM3E已通过英伟达(NVDA.US)测试 Q4开始供货

（原标题：传三星8层HBM3E已通过英伟达(NVDA.US)测试 Q4开始供货）

获悉，据三位知情人士透露，三星电子(SSNLF.US)第五代高带宽内存(HBM)芯片(HBM3E)的一个版本已经通过了英伟达(NVDA.US)的测试，可用于其人工智能处理器。

这一资格为这家全球最大的存储芯片制造商扫清了一个主要障碍，该公司一直在努力追赶其韩国竞争对手SK海力士，以提供能够处理生成式人工智能工作的先进存储芯片。

消息人士称，三星和英伟达尚未签署批准的8层HBM3E芯片的供应协议，但预计很快就会签署，并补充道，他们预计供应将于2024年第四季度开始。

不过，消息人士称，这家韩国科技巨头的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达的测试。

三星和英伟达均拒绝置评。

据了解，HBM是一种动态随机存取存储器(DRAM)标准，通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低能耗。作为人工智能GPU的关键组件，它有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。

今年5月有报道援引消息人士的话称，自去年以来，三星一直在寻求通过英伟达对HBM3E以及之前第四代HBM3型号的测试，但由于热量和功耗问题，三星始终未能通过测试。

据知情人士透露，该公司已重新设计了HBM3E设计，以解决这些问题。

三星在5月的报道后回应称，由于散热和功耗问题，其芯片未能通过英伟达的测试是不真实的。

半导体研究机构SemiAnalysis的创始人Dylan Patel表示：“三星在HBM领域仍在追赶。虽然他们将在第四季度开始出货8层HBM3E，但他们的竞争对手SK海力士正在同时加快出货12层HBM3E。”

据上个月的报道称，英伟达最近对三星HBM3芯片进行了认证，该芯片用于为中国市场开发的定制人工智能芯片H20。

英伟达批准三星最新的HBM芯片之际，由于人工智能的蓬勃发展，对复杂GPU的需求不断上升，英伟达和其他AI芯片组制造商正努力满足这一需求。

根据研究公司TrendForce的数据，HBM3E芯片可能会成为今年市场上的主流HBM产品，出货量将集中在下半年。领先的制造商SK海力士估计，到2027年，对HBM存储芯片的需求总体上可能会以每年82%的速度增长。

三星在7月份预测，到第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销售额的60%，许多分析师表示，如果其最新的HBM芯片在第三季度通过英伟达的最终批准，这一目标就有可能实现。

三星没有提供具体芯片产品的收入明细。根据对15位分析师的调查显示，三星今年上半年DRAM芯片的总营收估计为22.5万亿韩元(164亿美元)，其中约10%可能来自HBM的销售。

目前，HBM只有三家主要制造商――SK海力士、美光科技(MU.US)和三星。

SK海力士一直是英伟达HBM芯片的主要供应商，并于3月底向一位不愿透露身份的客户供应了HBM3E芯片。消息人士早些时候表示，货物运往英伟达。

美光也表示，将向英伟达供应HBM3E芯片。

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