长鑫存储申请半导体器件专利，覆盖第一器件区域和第二器件区域的栅氧化层
admin 阅读： 2024-01-16 13:17:18
（原标题：长鑫存储申请半导体器件专利，覆盖第一器件区域和第二器件区域的栅氧化层）
金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法、存储器“，公开号CN117410233A，申请日期为2022年7月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；其中，所述衬底上具有第一器件区域和第二器件区域；其中，所述第一器件区域与所述第二器件区域掺杂类型不同；形成覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域的栅氧化层；形成覆盖所述栅氧化层的栅导电层；在所述第一器件区域上，形成第一栅极结构，第一栅极结构包括栅导电层和栅氧化层的第一栅极结构；在第二器件区域上，形成第二栅极结构，第二栅极结构包括栅导电层和栅氧化层；其中，在第一器件区域和第二器件区域内，栅导电层始终覆盖栅氧化层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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