北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利，提高半导体技术领域的测量精度

admin 阅读： 2024-01-15 02:13:04

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（原标题：北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利，提高半导体技术领域的测量精度）

金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法“，公开号CN117388662A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法，属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL。

本文源自：金融界

作者：情报员

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