长鑫存储取得半导体结构及其形成方法专利，可以形成尺寸缩小到超过光刻机极限的有源区

（原标题：长鑫存储取得半导体结构及其形成方法专利，可以形成尺寸缩小到超过光刻机极限的有源区）

金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法“，授权公告号CN112992784B，申请日期为2019年12月。

专利摘要显示，该发明涉及一种半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积至少两层阻挡层；刻蚀第一阻挡层形成间隔排列的沟槽，所述沟槽的尺寸为第一宽度；沿着平行于所述沟槽的方向，刻蚀第二阻挡层形成第二宽度的沟槽，所述第二宽度小于所述第一宽度；再沿着垂直于所述沟槽的方向，在所述阻挡层表面沉积介质层；刻蚀所述介质层形成间隔排列的沟槽，所述沟槽的尺寸为第三宽度，所述第三宽度小于所述第二宽度；根据第二宽度和第三宽度的尺寸，刻蚀所述半导体衬底形成有源区。本发明通过两个方向多次双重构图法，可以形成尺寸缩小到超过光刻机极限的有源区。从而进一步缩小特征尺寸，提高产能。

本文源自：金融界

作者：情报员

本文 原创，转载保留链接！网址：https://licai.bangqike.com/cjnews/309148.html