长鑫存储取得温度控制专利，可控制半导体机台工艺腔室中反应窗口的温度

admin 阅读：2 2024-01-13 20:13:05

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（原标题：长鑫存储取得温度控制专利，可控制半导体机台工艺腔室中反应窗口的温度）

金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种温度控制系统及方法、装置、存储介质“，授权公告号CN113594067B，申请日期为2021年7月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种温度控制系统及方法、装置、存储介质，其中，所述方法包括：获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。

本文源自：金融界

作者：情报员

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