三星取得半导体专利，提高半导体器件的性能
admin 阅读： 2024-01-11 20:16:48
（原标题：三星取得半导体专利，提高半导体器件的性能）
金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括扩散中断区的半导体器件“，授权公告号CN110828569B，申请日期为2019年6月。
专利摘要显示，提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。该半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。
本文源自：金融界
作者：情报员
本文 原创，转载保留链接！网址：https://licai.bangqike.com/cjnews/303231.html
声明
1.本站遵循行业规范，任何转载的稿件都会明确标注作者和来源；2.本站的原创文章，请转载时务必注明文章作者和来源，不尊重原创的行为我们将追究责任；3.作者投稿可能会经我们编辑修改或补充。
