北京大学申请面向高密度存储的三维环状铁电电容仿真方法专利，该专利技术能准确仿真三维环状结构中径向对称的极化分布
admin 阅读： 2024-01-11 01:14:08
（原标题：北京大学申请面向高密度存储的三维环状铁电电容仿真方法专利，该专利技术能准确仿真三维环状结构中径向对称的极化分布）
金融界2024年1月10日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“面向高密度存储的三维环状铁电电容仿真方法“，公开号CN117371238A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种面向高密度存储的三维环状铁电电容的仿真方法。本发明利用矢量合成分解原则来定义环状结构的极轴方向，可以准确仿真三维环状结构中径向对称的极化分布，同时能够反映氧化铪基铁电材料多畴极化翻转等特点。本发明的仿真方法填补了目前针对三维环状结构铁电电容电学特性准确仿真描述上的缺失。本发明的仿真方法能够进一步计入氧化铪基铁电电容的多相共存的晶粒分布特点，从而可以作为准确评估面向更高密度存储的三维铁电电容性能的可靠依据。
本文源自：金融界
作者：情报员
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